ترانزیستور های اثر میدان FET (ویرایش جدید)

function GetBC(lngPostid) { intTimeZone=33042; strBlogId="4839"; intCount=-1; strResult=""; try { for (i=0;i0) strResult="نظرات " + "(" + intCount + ")"; strUrl="https://loxblog.com/commenting/?blogid=" +strBlogId + "&postid=" + lngPostid + "&timezone=" + intTimeZone ; strResult ="" + strResult + " " ; document.write ( strResult ) ; } function OpenLD() { window.open('LinkDump.aspx','blogfa_ld','status=yes,scrollbars=yes,toolbar=no,menubar=no,location=no ,width=500px,height=500px'); return true; }

فناوری های پیشرفته

Advanced Technolog

ترانزیستور های اثر میدان FET (ویرایش جدید)

یکشنبه 27 فروردین 1391 :: 14:18 :: نويسنده : roboiran

ترانزیستور اثر میدانی یک منبع جریان کنترل شونده با ولتاژ می باشد

و به سه دسته کلی زیر تقسیم بندی می شود:

۱- JFET

2- D_MOS یا ماسفت نوع کاهشی یا تخلیه ای یا تهی شونده
۳- E_MOS یا ماسفت نوع افزایشی یا ارتقایی یا تشکیل شونده

trans ترانزیستور های اثر میدان FET (ویرایش جدید) ما قصد داریم هر سه خانواده FET را کوتاه اما کاربردی توضیح دهیم ؛ تا در آینده قادر باشید به صورت علمی ، عملی و کاربردی با این ترانزیستور ها کار کنید.

درباره وبلاگ

به وبلاگ فناوری های پیشرفته برای بشریت خوش آمدید. متشکرم از شما دوستان و عزیزان بخاطر بازدید از این وبلاگ

منوي اصلي

صفحه نخست

پروفایل مدیر وبلاگ

پست الکترونیک

آرشیو مطالب

عناوین مطالب

آخرین مطالب

آرشيو وبلاگ

خرداد 1393

خرداد 1392

فروردین 1392

اسفند 1391

شهریور 1391

مرداد 1391

خرداد 1391

اردیبهشت 1391

فروردین 1391

اسفند 1390

پيوندها

نويسندگان

فناوری پیشرفته